FDG6332C-F085 - MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

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MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
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Technische Daten für FDG6332C-F085

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDG6332C-F085
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 700mA, 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 113pF @ 10V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDG6 , FDG633

Dokumente für FDG6332C-F085

Datenblätter : FDG6332C-F085.pdf

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