IPD082N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPD082N10N3GBTMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPD082N10N3GBTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPD082N10N3GBTMA1
Datenblätter :
IPD082N10N3GBTMA1.pdf
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