SQ3985EV-T1_GE3 - MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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Technische Daten für SQ3985EV-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQ3985EV-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 10V
Leistung max : 3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : 6-TSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQ3985EV-T1_GE3
Datenblätter : SQ3985EV-T1_GE3.pdf
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