1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N8026-GA
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9368 Pieces
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Technische Daten für 1N8026-GA
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
1N8026-GA
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 2.5A
Geschwindigkeit :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
237pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-257-3
Supplier Device Package :
TO-257
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 250°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 1N8026-GA
Datenblätter :
1N8026-GA.pdf
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