BUK7C3R1-80EJ - MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für BUK7C3R1-80EJ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BUK7C3R1-80EJ
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BUK7C3R1-80EJ
Datenblätter :
BUK7C3R1-80EJ.pdf
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