IPP50R190CEXKSA1 - MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

Hersteller Teilenummer

IPP50R190CEXKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPP50R190CEXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IPP50R190CEXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPP50R190CEXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

Serie : CoolMOS™ CE

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 510µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 47.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1137pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 127W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPP50R190CEXKSA1

Datenblätter : IPP50R190CEXKSA1.pdf

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