TK16A60W,S4VX - MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Hersteller Teilenummer

TK16A60W,S4VX

Interne Teilenummer

AX-TK16A60W,S4VX

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TK16A60W,S4VX

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK16A60W,S4VX

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 790µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 300V

FET-Funktion : Super Junction

Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220SIS

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK16A60W,S4VX

Datenblätter : TK16A60W,S4VX.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
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PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.