IS42RM32800E-6BLI-TR - IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
64350 Pieces
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Technische Daten für IS42RM32800E-6BLI-TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS42RM32800E-6BLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile
Speichergröße : 256Mb (8M x 32)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 5.5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 3V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-TFBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IS42RM32800E-6BLI-TR
Datenblätter : IS42RM32800E-6BLI-TR.pdf
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