IXTX200N10L2 - MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

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MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
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Technische Daten für IXTX200N10L2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTX200N10L2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Serie : Linear L2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTX200N10L2

Datenblätter : IXTX200N10L2.pdf

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