BSC150N03LDGATMA1 - MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BSC150N03LDGATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSC150N03LDGATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
Leistung max : 26W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PG-TDSON-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSC150N03LDGATMA1
Datenblätter : BSC150N03LDGATMA1.pdf
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