IRF6892STR1PBF - MOSFET N-CH 25V 28A S3
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 28A S3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
19680 Pieces
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Technische Daten für IRF6892STR1PBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF6892STR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 28A S3
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2510pF @ 13V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ S3C
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric S3C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF6892STR1PBF
Datenblätter :
IRF6892STR1PBF.pdf
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