SI1965DH-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
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Technische Daten für SI1965DH-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI1965DH-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 6V
Leistung max : 1.25W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI1965DH-T1-E3
Datenblätter : SI1965DH-T1-E3.pdf
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