SI8902AEDB-T2-E1 - N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
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Kurze Beschreibung
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI8902AEDB-T2-E1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI8902AEDB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 5.7W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UFBGA
Supplier Device Package : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI8902AEDB-T2-E1
Datenblätter : SI8902AEDB-T2-E1.pdf
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