RD3U080CNTL1 - NCH 250V 8A POWER MOSFET

Hersteller Teilenummer

RD3U080CNTL1

Interne Teilenummer

AX-RD3U080CNTL1

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

NCH 250V 8A POWER MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

626390 Pieces

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Technische Daten für RD3U080CNTL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RD3U080CNTL1

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : NCH 250V 8A POWER MOSFET

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1440pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 85W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RD3U , RD3U08

Dokumente für RD3U080CNTL1

Datenblätter : RD3U080CNTL1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.