STB18N60DM2 - MOSFET N-CH 600V 12A

Hersteller Teilenummer

STB18N60DM2

Interne Teilenummer

AX-STB18N60DM2

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 12A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

314480 Pieces

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Technische Daten für STB18N60DM2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STB18N60DM2

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 12A

Serie : MDmesh™ DM2

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : STB , STB18

Dokumente für STB18N60DM2

Datenblätter : STB18N60DM2.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.