IPA057N06N3GXKSA1 - MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
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MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
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Technische Daten für IPA057N06N3GXKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPA057N06N3GXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 58µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3-31 Full Pack
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPA057N06N3GXKSA1
Datenblätter : IPA057N06N3GXKSA1.pdf
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