RDN100N20FU6 - MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Hersteller Teilenummer

RDN100N20FU6

Interne Teilenummer

AX-RDN100N20FU6

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8072 Pieces

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Technische Daten für RDN100N20FU6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RDN100N20FU6

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 543pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220FN

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RDN1 , RDN100

Dokumente für RDN100N20FU6

Datenblätter : RDN100N20FU6.pdf

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