STH315N10F7-6 - MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

Hersteller Teilenummer

STH315N10F7-6

Interne Teilenummer

AX-STH315N10F7-6

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für STH315N10F7-6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STH315N10F7-6

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

Serie : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12800pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 315W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : H2PAK-6

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : STH3 , STH315

Dokumente für STH315N10F7-6

Datenblätter : STH315N10F7-6.pdf

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