MMBFJ177_G - INTEGRATED CIRCUIT

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INTEGRATED CIRCUIT
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Technische Daten für MMBFJ177_G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MMBFJ177_G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : 30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.5mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max : -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 800mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Widerstand - RDS (Ein) : -
Leistung max : 225mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MMB , MMBFJ

Dokumente für MMBFJ177_G

Datenblätter : MMBFJ177_G.pdf

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