STL90N10F7 - MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6

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MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
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Technische Daten für STL90N10F7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STL90N10F7
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3550pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerFlat™ (5x6)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STL90N10F7

Datenblätter : STL90N10F7.pdf

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