IPC26N12NX1SA1 - MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Hersteller Teilenummer

IPC26N12NX1SA1

Interne Teilenummer

AX-IPC26N12NX1SA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

145585 Pieces

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Technische Daten für IPC26N12NX1SA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPC26N12NX1SA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 244µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : Sawn on foil

Paket / fall : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPC2 , IPC26N1

Dokumente für IPC26N12NX1SA1

Datenblätter : IPC26N12NX1SA1.pdf

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