STP165N10F4 - MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Hersteller Teilenummer

STP165N10F4

Interne Teilenummer

AX-STP165N10F4

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

114885 Pieces

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Technische Daten für STP165N10F4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STP165N10F4

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Serie : DeepGATE™, STripFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 315W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STP165N10F4

Datenblätter : STP165N10F4.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
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