ATP212-TL-H - MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK

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MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
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Technische Daten für ATP212-TL-H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ATP212-TL-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : ATPAK
Paket / fall : ATPAK (2 leads+tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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