DMT10H017LPD-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
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Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMT10H017LPD-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT10H017LPD-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.4 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1986pF @ 50V
Leistung max : 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : PowerDI5060-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMT10H017LPD-13
Datenblätter : DMT10H017LPD-13.pdf
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