FDD86113LZ - MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3

Hersteller Teilenummer

FDD86113LZ

Interne Teilenummer

AX-FDD86113LZ

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDD86113LZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDD86113LZ

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 285pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 29W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDD86113LZ

Datenblätter : FDD86113LZ.pdf

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