CDBDSC3650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

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DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CDBDSC3650-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CDBDSC3650-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 11A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 181pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : CDBD , CDBDSC

Dokumente für CDBDSC3650-G

Datenblätter : CDBDSC3650-G.pdf

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