HGT1S20N60A4S9A - IGBT 600V 70A 290W TO263AB

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IGBT 600V 70A 290W TO263AB
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Technische Daten für HGT1S20N60A4S9A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HGT1S20N60A4S9A
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : -
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 280A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 20A
Leistung max : 290W
Energie wechseln : 105µJ (on), 150µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 142nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 15ns/73ns
Testbedingung : 390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : HGT1S , HGT1S20

Dokumente für HGT1S20N60A4S9A

Datenblätter : HGT1S20N60A4S9A.pdf

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