RJK6026DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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17480 Pieces
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Technische Daten für RJK6026DPE-00#J3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RJK6026DPE-00#J3
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-LDPAK
Paket / fall :
SC-83
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RJK6026DPE-00#J3
Datenblätter :
RJK6026DPE-00#J3.pdf
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