PHM30NQ10T,518 - MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für PHM30NQ10T,518
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PHM30NQ10T,518
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
37.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
53.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HVSON (6x5)
Paket / fall :
8-VDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PHM30NQ10T,518
Datenblätter :
PHM30NQ10T,518.pdf
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