EPC2021 - GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE

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Kurze Beschreibung
GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
99885 Pieces
Referenzpreis
USD 2.8086
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Technische Daten für EPC2021

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2021
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 14mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Die
Paket / fall : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EPC2021

Datenblätter : EPC2021.pdf

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