K4B1G0846I-BYNB - 1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4B1G0846I-BYNB
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Dichte : 1 Gb
Org. : 128M x 8
Geschwindigkeit : 2133 Mbps
Stromspannung : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Paket : 78FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für K4B1G0846I-BYNB
Datenblätter : K4B1G0846I-BYNB.pdf
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