TSM4ND60CI - 600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 0.684
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Technische Daten für TSM4ND60CI

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM4ND60CI
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : 600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 582pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 41.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ITO-220
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TSM4ND60CI

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