PHD9NQ20T,118 - MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
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Technische Daten für PHD9NQ20T,118
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PHD9NQ20T,118
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 959pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 88W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PHD9NQ20T,118
Datenblätter : PHD9NQ20T,118.pdf
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