IS49NLC18160-33BLI - IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
39408 Pieces
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Technische Daten für IS49NLC18160-33BLI
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IS49NLC18160-33BLI
Hersteller :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung :
IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
DRAM
Speichergröße :
288Mb (16M x 18)
Taktfrequenz :
300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
20ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
144-TBGA
Supplier Device Package :
144-TWBGA (11x18.5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IS49NLC18160-33BLI
Datenblätter :
IS49NLC18160-33BLI.pdf
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