70T633S10BCI8 - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5712 Pieces
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Technische Daten für 70T633S10BCI8
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 70T633S10BCI8
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße : 9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 10ns
Zugriffszeit : 10ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 256-LBGA
Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 70T633S10BCI8
Datenblätter : 70T633S10BCI8.pdf
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