FDN028N20 - MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

Hersteller Teilenummer

FDN028N20

Interne Teilenummer

AX-FDN028N20

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDN028N20

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDN028N20

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDN028N20.pdf

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