FDMS8050ET30 - MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

Hersteller Teilenummer

FDMS8050ET30

Interne Teilenummer

AX-FDMS8050ET30

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

271500 Pieces

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Technische Daten für FDMS8050ET30

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMS8050ET30

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Ta), 423A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.65 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 750µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 285nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 22610pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.3W (Ta), 180W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : Power56

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDMS8050ET30

Datenblätter : FDMS8050ET30.pdf

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