APT29F80J - MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für APT29F80J

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT29F80J
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 303nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9326pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 543W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : ISOTOP®
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für APT29F80J

Datenblätter : APT29F80J.pdf

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