BQ4011YMA-70N - IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
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Kurze Beschreibung
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BQ4011YMA-70N
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BQ4011YMA-70N
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : NVSRAM
Technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße : 256Kb (32K x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 70ns
Zugriffszeit : 70ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Supplier Device Package : 28-DIP Module (18.42x37.72)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BQ4011YMA-70N
Datenblätter : BQ4011YMA-70N.pdf
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