IXFB170N30P - MOSFET N-CH TO-264

Hersteller Teilenummer

IXFB170N30P

Interne Teilenummer

AX-IXFB170N30P

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO-264

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

32543 Pieces

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Technische Daten für IXFB170N30P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFB170N30P

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH TO-264

Serie : HiPerFET™, PolarP2™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 258nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1250W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PLUS264™

Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFB170N30P

Datenblätter : IXFB170N30P.pdf

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