PMXB350UPEZ - MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

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MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
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Technische Daten für PMXB350UPEZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMXB350UPEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 116pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN1010D-3
Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für PMXB350UPEZ

Datenblätter : PMXB350UPEZ.pdf

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