MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
67235 Pieces
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Technische Daten für MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße :
32Gb (512M x 64)
Taktfrequenz :
2133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
-
Speicherschnittstelle :
-
Spannungsversorgung :
1.1V
Betriebstemperatur :
-30°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart :
-
Paket / fall :
-
Supplier Device Package :
-
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
ähnliche Links :
MT53D512M6 , MT53D512M64D4NY
Dokumente für MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
Datenblätter :
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR.pdf
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