DMN61D9UW-7 - MOSFET N-CH 60V 0.34A

Hersteller Teilenummer

DMN61D9UW-7

Interne Teilenummer

AX-DMN61D9UW-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 0.34A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

7447150 Pieces

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Technische Daten für DMN61D9UW-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN61D9UW-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.34A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 340mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 28.5pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 320mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-323

Paket / fall : SC-70, SOT-323

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN61D9UW-7

Datenblätter : DMN61D9UW-7.pdf

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