MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße : 32Gb (512M x 64)
Taktfrequenz : 2133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.1V
Betriebstemperatur : -30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MT53D512M6 , MT53D512M64D4NZ
Dokumente für MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Datenblätter : MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR.pdf
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