FCP260N65S3 - MOSFET N-CH 650V 260MOHM TO220
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FCP260N65S3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 260MOHM TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCP260N65S3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCP260N65S3
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 260MOHM TO220
Serie : SuperFET® III
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FCP260N65S3
Datenblätter : FCP260N65S3.pdf
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