SIRA12BDP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30V

Hersteller Teilenummer

SIRA12BDP-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIRA12BDP-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 30V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1539745 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für SIRA12BDP-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIRA12BDP-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 38W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8

Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIRA1 , SIRA12BD

Dokumente für SIRA12BDP-T1-GE3

Datenblätter : SIRA12BDP-T1-GE3.pdf

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