TK18E10K3,S1X(S - MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

TK18E10K3,S1X(S

Interne Teilenummer

AX-TK18E10K3,S1X(S

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

394800 Pieces

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Technische Daten für TK18E10K3,S1X(S

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK18E10K3,S1X(S

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Serie : U-MOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK18E10K3,S1X(S

Datenblätter : TK18E10K3,S1X(S.pdf

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