DMN3110LCP3-7 - MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

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MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
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Technische Daten für DMN3110LCP3-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN3110LCP3-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.52nC @ 4.5V
Vgs (Max) : 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.38W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN1006-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMN3 , DMN311

Dokumente für DMN3110LCP3-7

Datenblätter : DMN3110LCP3-7.pdf

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