CDBD2SC21200-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

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DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CDBD2SC21200-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CDBD2SC21200-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 6.2A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 2A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 136pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263 (D2Pak)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : CDBD , CDBD2SC

Dokumente für CDBD2SC21200-G

Datenblätter : CDBD2SC21200-G.pdf

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