FDP027N08B-F102 - MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Hersteller Teilenummer

FDP027N08B-F102

Interne Teilenummer

AX-FDP027N08B-F102

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

130980 Pieces

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Technische Daten für FDP027N08B-F102

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDP027N08B-F102

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 178nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13530pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 246W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDP027N08B-F102

Datenblätter : FDP027N08B-F102.pdf

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